關(guān)于EMI傳導(dǎo)和輻射超標(biāo)對(duì)策，在沒(méi)有相關(guān)EMI測(cè)試設(shè)備的情況下，往往會(huì)讓工程師們格外的頭疼，有時(shí)候我們可能需要很長(zhǎng)時(shí)間才能夠搞定這個(gè)問(wèn)題。本文主要是針對(duì)EMI傳導(dǎo)輻射超標(biāo)問(wèn)題進(jìn)行實(shí)例分析，希望能夠結(jié)合理論與經(jīng)驗(yàn)來(lái)有針對(duì)性的進(jìn)行整改，來(lái)達(dá)到最終效果。
首先我們來(lái)了解一下散熱片、屏蔽層、Y電容的作用機(jī)理。以反激拓?fù)錇槔?，我們先看看散熱片的作用，?jiàn)下圖：
散熱片的作用
在圖中我們可以看到其中C1為MOS與散熱片的寄生電容，C2為散熱片與大地PE之間的寄生電容。散熱片懸空時(shí)，共模電流icm會(huì)通過(guò)C2流到大地，從而被LISN拾到，導(dǎo)致共模干擾增加。散熱片接地時(shí)，共模電流icm被短路到原邊干擾源的地，不經(jīng)過(guò)LISN，即降低了共模干擾。看看變壓器屏蔽層的作用，見(jiàn)下圖。
變壓器屏蔽層的作用
從上面的分析可以看出，其實(shí)散熱片、屏蔽、Y電容，對(duì)EMI的作用機(jī)理是一樣的，即都是為干擾信號(hào)提供一條低阻抗回路，讓干擾信號(hào)返回源端，讓其不從LISN經(jīng)過(guò)。
共模&差模路徑和簡(jiǎn)化模型
以反激拓?fù)錇槔?，同時(shí)由于副邊的dV/dt一般較小，這里省去了，突出主要部分。
差模的路徑和模型
從以上可以看出Cbus對(duì)EMI的影響，尤其是冷熱機(jī)的差異。電解的ESR隨著溫度的升高而降低，有利于干擾信號(hào)的流過(guò)，這也是一些案例熱機(jī)后EMI會(huì)變好的原因之一。
共模路徑和簡(jiǎn)化模型
從以上的模型可以看出，不管是差模還是共模，EMI的本質(zhì)就是歐姆定律。無(wú)非就是串聯(lián)分壓和并聯(lián)分流，通過(guò)各種方法讓LISN少分壓、少分流而已。
