曾經(jīng)從課堂和教材中我們學習到“MOSFET適合并聯(lián)工作，因為其是正溫度系數(shù)”的觀點。所以許多工程師很少對此提出疑問。但在我們不斷實踐的過程中，偶爾會有一些思考，那就是：MOS總是正溫度系數(shù)嗎？本文中將對這一疑問進行討論、推理和說明。其中一些結(jié)論根據(jù)實際案例得出，僅供大家參考與討論。
下面我們看一個出現(xiàn)負溫度系數(shù)的設計實例：設計在15V，從0V~15V有個過程，在這個過程中就出現(xiàn)了負溫度系數(shù)。并且這個過程中出現(xiàn)了并聯(lián)的時候在一種型號管子正常的情況下，然后僅僅換了另一種型號的管子（其他參數(shù)不改）卻出現(xiàn)炸管現(xiàn)象。
經(jīng)過推論這有可能與開關(guān)的速度有關(guān)，如果速度比較慢，停留在負溫度系數(shù)的時間比較長，就會炸管。溫度多少不是關(guān)鍵，關(guān)鍵的是這里存在一個正反饋的過程，即溫度越高，流過的電流越大。如果穿越這個負溫度系數(shù)區(qū)域的時間太長就會炸管。因此MOS也存在負溫度系數(shù)，不注意的話可能引起致命問題。針對換了另一種型號的管子（其他參數(shù)不改）卻出現(xiàn)炸管現(xiàn)象可以這樣理解：
MOSFET工作在飽和狀態(tài)的IV特性
這個圖說的是MOSFET工作在飽和狀態(tài)的IV特性，即Vgs在9V以下時，Id是正溫度系數(shù)，因為隨著溫度的增大Id也增大。但是MOSFET并聯(lián)工作，是工作在線性電阻方式，雖然這里沒有給出線性電阻方式時的曲線，但我們可以非常容易的推知，線性電阻Rds 是負溫度系數(shù)的，因為溫度升高Id增大，所以Id/Vds就增大了，而這時gm，所以電阻Rds減小了。因此MOSFET線性電阻方式時，溫度系數(shù)是正還是負，即Id是正溫度系數(shù)，而Rds是負溫度系數(shù)的。但是這個圖里，Vgs大于9V后，就正好相反了，Rds是正溫度系數(shù)，而Id是負溫度系數(shù)。如果一個MOS工作在Id 正溫度系數(shù)方式，一個工作在負溫度系數(shù)方式，則溫度升高時，正溫度的Id越來越大，負系數(shù)的越來越小，最后導致一個導通一個不導通。
解決方法
我們可以加快開通速度，快速經(jīng)過負溫度系數(shù)區(qū)域，關(guān)斷過程也一樣的道理。MOSFET在開通的過程中，RDS(ON)從負溫度系數(shù)區(qū)域向正溫度系數(shù)區(qū)域轉(zhuǎn)化;在其關(guān)斷的過程中，RDS(ON)從正溫度系數(shù)區(qū)域向負溫度系數(shù)區(qū)域過渡?？焖匍_通和關(guān)斷MOS，可以減小局部能量的聚集，防止晶胞單元局部過熱而損壞。
