針對于最近很多網(wǎng)友在電源設計中遇到的困難，小編整理了其中典型的問題向工程師尋求解答，那么本文將就采用MOSFET低電壓小電流進行電機控制的原因來解析。
伺服電機驅(qū)動器，48V，電機額定功率大概200W，由于沒有完善的硬件平臺，就借用空調(diào)控制器硬件作為開發(fā)平臺，功率器件使用的是IPM，光電編碼器接口外接，但在調(diào)試中發(fā)現(xiàn)電流波形不是很好，正弦波峰值處會出現(xiàn)下凹，現(xiàn)在換做MOSFET作為功率器件(Layout基本相同)，相同的代碼，正弦波好很多(下凹減弱)。究其原因，到底是什么原因?是否因為IGBT和MOSFET本身的特性引起的？又是如何影響的？
其實IGBT正常導通時，有2-3V的降壓，最低也有1V左右，哪怕電流小也一樣；而MOSFET導通時表現(xiàn)出來的是電阻，它的降壓與電流成正比，正常選擇的管子的弊端；另外出現(xiàn)這個原因還其他很多因素有關。建議解決方法可以把調(diào)制度減小，解決正弦波峰值處會出現(xiàn)下凹的問題。
