SanDisk于日前表示，正與東芝(Toshiba)合力擴建位于日本三重縣四日市的五號半導體制造工廠(Fab 5)第二期工程，并共同展開3D NAND記憶體技術(shù)的研發(fā)，為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米(nm)節(jié)點面臨微縮瓶頸，預做準備。
SanDisk亞太區(qū)副總裁吳家榮表示，隨著智能手機、平板裝置及超輕薄筆電(Ultrabook)配備NAND Flash和固態(tài)硬盤(SSD)比重不斷攀升，NAND Flash記憶體市場將持續(xù)供不應(yīng)求，因而吸引各NAND Flash供應(yīng)商紛紛投入擴產(chǎn)，以紓解供貨緊縮的問題。
吳家榮進一步指出，該公司與東芝合資的五號半導體制造工廠，即將啟動第二期擴產(chǎn)計劃，將持續(xù)采用最先進的19奈米制程技術(shù)，預定于2014年下半年正式投產(chǎn);此外，SanDisk亦將藉由該工廠進行3D NAND技術(shù)的研發(fā)。
據(jù)了解，五號半導體制造工廠第二期擴產(chǎn)工程，一方面將導入19奈米制程投產(chǎn)2D NAND Flash存儲器;另一方面則采用BiCS(Bit Cost Scalable)技術(shù)試量產(chǎn)3D NAND存儲器，該技術(shù)標榜具備高性能、低成本且架構(gòu)可擴充性的優(yōu)勢，已于先前由東芝率先發(fā)表，而SanDisk已規(guī)劃采用該項技術(shù)，生產(chǎn)3D NAND閃存產(chǎn)品，并預計于2016年投產(chǎn)首款3D NAND存儲器。
針對SanDisk是否會選用3D NAND記憶體技術(shù)發(fā)展10奈米以下的制程，吳家榮說明，該公司目前無法對外說明3D NAND存儲器技術(shù)的制程規(guī)劃藍圖，但可預見的是，相較于過去每一代NAND Flash制程節(jié)點差距動輒10奈米以上，進入19奈米以后，制程微縮的節(jié)點間隔將明顯縮小。
顯而易見，2D NAND存儲器技術(shù)即將面臨發(fā)展瓶頸，而3D NAND存儲器將成為提高NAND Flash密度和降低成本的必然途徑，也因此，除東芝和SanDisk之外，三星(Samsung)、海力士(Hynix)及IM Flash Technologies亦已投入3D NAND存儲器技術(shù)布局。其中，三星預定于2014年量產(chǎn)3D NAND存儲器。
