LSI選擇賽普拉斯并行nvSRAM非易失性存儲(chǔ)器

2013-09-13 13:11 來源:電子信息網(wǎng) 作者:蒲公英

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布,LSI在其用于高性能服務(wù)器、工作站和外部存儲(chǔ)器的12Gb/s SAS主機(jī)總線適配器(HBA)中,選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)。nvSRAM為SAS HBA帶來高速度、低電壓、無(wú)故障的存儲(chǔ)器,提升了LSI解決方案的性能。LSI選擇并行nvSRAM的另一個(gè)原因是它可工作在不同的電壓下,而且廣受媒體好評(píng)。

LSI近期發(fā)布的LSI? SAS 9300 HBA系列產(chǎn)品是業(yè)界首款用于高性能服務(wù)器、工作站和外部存儲(chǔ)系統(tǒng)的12Gb/s SAS HBA解決方案。該系列的產(chǎn)品可加快存儲(chǔ)速度,專為諸如交易數(shù)據(jù)庫(kù)、Web 2.0、數(shù)據(jù)挖掘、視頻流媒體及編輯等場(chǎng)合的高性能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

賽普拉斯并行nvSRAM的存取時(shí)間可快至25ns, 是市場(chǎng)上最快的異步非易失性RAM。nvSRAM還具有無(wú)限次讀寫和恢復(fù)和20年的數(shù)據(jù)保存能力,對(duì)于需要連續(xù)高速數(shù)據(jù)寫入和絕對(duì)非易失性數(shù)據(jù)安全且無(wú)需備用電池的應(yīng)用,這一產(chǎn)品是非常理想的選擇。

LSI高級(jí)市場(chǎng)總監(jiān)Robin Wagner說:“隨著數(shù)據(jù)中心對(duì)存儲(chǔ)量管理要求的不斷提升,對(duì)12Gb/s SAS的需求隨之增長(zhǎng)。我們?cè)晒Φ剡\(yùn)用過廣受媒體贊譽(yù)的nvSRAM,完全能滿足我們LSI 9300系列產(chǎn)品的嚴(yán)苛要求。并行nvSRAM的靈活性能夠接受3V以下的工作電壓,從而簡(jiǎn)化了產(chǎn)品設(shè)計(jì)流程,加速我們產(chǎn)品的上市進(jìn)程?!?

賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)總監(jiān)Rainer Hoehler說:“我們很高興存儲(chǔ)界的領(lǐng)先者LSI采用我們的并行nvSRAM產(chǎn)品。這一產(chǎn)品應(yīng)用于業(yè)界首款12Gb/s解決方案,充分證明了其不同凡響的速度和可靠性?!?

并行nvSRAM系列產(chǎn)品有從256kb到8Mb的多種配置可供選擇,并可工作在工業(yè)溫度范圍內(nèi),擁有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的封裝方式,如32-SOIC, 44-TSOPII, 48-SSOP, 48-FBGA 及 54-TSOPII等。欲了解更多關(guān)于賽普拉斯nvSRAM產(chǎn)品的信息,敬請(qǐng)?jiān)L問如下網(wǎng)址:www.cypress.com/go/NVM。

賽普拉斯的nvSRAM采用SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性存儲(chǔ)器制造工藝。nvSRAM非常適合需要高性能和絕對(duì)非易失性數(shù)據(jù)安全的應(yīng)用,例如RAID系統(tǒng)、PLC、工業(yè)數(shù)據(jù)日志、計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)、服務(wù)器和交換機(jī)、航空電子、軍用系統(tǒng),以及游戲系統(tǒng)等。

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賽普拉斯是SONOS制造工藝的領(lǐng)先者,其旗艦產(chǎn)品PSoC?混合信號(hào)陣列、可編程時(shí)鐘及其他產(chǎn)品均采用這一工藝制造。SONOS與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS技術(shù)兼容,還具有多種優(yōu)勢(shì),例如長(zhǎng)壽命、低功耗和抗輻射。SONOS技術(shù)在賽普拉斯自己的工廠和多個(gè)合作伙伴的工廠中同時(shí)采用。與其他基于磁技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)相比,這一工藝在規(guī)模和可制造性方面擁有顯著的優(yōu)勢(shì)。賽普拉斯已發(fā)運(yùn)了超過10億片采用與nvSRAM中相同的SONOS工藝制造的產(chǎn)品。

LSI 存儲(chǔ)器

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