東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布開發(fā)出一種帶MIPI? RFFE[2]接口的SP10T[1]射頻天線開關(guān)，其插入損耗[3]堪稱智能手機(jī)市場業(yè)界最低，尺寸堪稱業(yè)界最小。該產(chǎn)品即日起交付樣品。
新產(chǎn)品運(yùn)用了“TaRF5”——一種采用絕緣硅(SOI)技術(shù)[6]打造的新一代TarfSOI?(東芝先進(jìn)的RF SOI)[5]工藝。相較于采用TaRF3工藝打造的產(chǎn)品而言，采用TaRF5工藝打造的新樣品的插入損耗(f=2.7GHz)改善了25%，尺寸縮小了40%。這些改進(jìn)可延長電池工作時(shí)間，縮小安裝空間，還有助于縮小應(yīng)用產(chǎn)品的尺寸。
自從2009年為智能手機(jī)射頻天線開關(guān)開發(fā)SOI-CMOS工藝以來，東芝已經(jīng)相繼開發(fā)出了可改善性能的新一代工藝和設(shè)備。隨著LTE和LTE-Advanced[7]相繼在全球獲得采用，市場對射頻天線開關(guān)的需求也傾向于多端口與復(fù)雜功能。為滿足這些市場需求，東芝計(jì)劃繼續(xù)開發(fā)低插入損耗、小尺寸的產(chǎn)品。
注
[1] 單刀十?dāng)S開關(guān)
[2] MIPI Alliance, Inc.開發(fā)的射頻前端接口。
MIPI是MIPI Alliance, Inc.的注冊商標(biāo)。
[3] 電流從射頻電路的一個(gè)終端進(jìn)入另一個(gè)終端時(shí)發(fā)生的電力損耗，以分貝表示。
[4] 射頻天線開關(guān)市場，截至2013年10月8日。東芝調(diào)查。
[5] TarfSOI?是東芝公司的商標(biāo)。
[6] 該技術(shù)在MOSFET通道內(nèi)形成了一層絕緣膜并降低雜散電容，從而改善CMOS LSI的速度和省電情況。
[7] 3GPP標(biāo)準(zhǔn)制定組織制定的新通信標(biāo)準(zhǔn)。ITU界定的第四代移動通信系統(tǒng)中的一個(gè)。
