面對儲存型閃存(NAND Flash)供貨緊縮，以及二維(2D)NAND Flash將于10納米制程面臨微縮瓶頸，東芝(Toshiba)已于近期宣布將于2013年8月底展開五號半導體制造工廠(Fab 5)第二期建廠計劃，以因應未來NAND Flash擴產(chǎn)需求，并為日后投產(chǎn)3D NAND Flash預先做好準備。
為突破NAND Flash微縮關卡的主流技術，東芝正規(guī)劃3D NAND Flash制程，東芝表示，未來將會有更多適用于3D NAND Flash的應用陸續(xù)出現(xiàn)，而五號半導體制造工廠擴產(chǎn)，將有助該公司提高市場競爭力，并迎合市場需求。
五號半導體制造工廠第二期工程除將成為往后該公司用以生產(chǎn)3D NAND Flash的利器之外，并將確保東芝可基于最新的納米制程技術，持續(xù)擴產(chǎn)NAND Flash。東芝指出，智能手機、平板裝置、企業(yè)伺服器用固態(tài)硬盤(SSD)及其他新應用不斷增長的需求，正帶動NAND Flash產(chǎn)業(yè)復蘇，而考量長期的市場供需平衡，東芝已計劃投入五號半導體工廠的擴產(chǎn)。
據(jù)了解，五號半導體制造工廠第二期將擁有具備減震結構設計的自動化產(chǎn)品運輸系統(tǒng)，以避免地震時工廠崩塌造成環(huán)境的負荷;并有發(fā)光二極體(LED)照明和最新的節(jié)能生產(chǎn)設施的部署，可充分和有效的利用余熱，相較于四號半導體制造工廠，預計將削減13%的二氧化碳排放量。
據(jù)悉，東芝于日本三重縣四日市已擁有三座晶圓廠，大規(guī)模量產(chǎn)NAND Flash，其中包括五號半導體制造工廠第一階段廠房。
