基于峰值控制的IGBT串聯(lián)均壓技術(shù)

2013-09-25 17:04 來源:互聯(lián)網(wǎng) 作者:洛小辰

1 引言

隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,高壓大功率設(shè)備對(duì)IGBT的耐壓等級(jí)提出更高要求,故IGBT串聯(lián)技術(shù)成為研究熱點(diǎn)之一。IGBT串聯(lián)應(yīng)用的關(guān)鍵問題是實(shí)現(xiàn)均壓。在眾多IGBT串聯(lián)均壓技術(shù)中,最簡(jiǎn)單、可靠的方法是并聯(lián)RC緩沖回路。但在高壓場(chǎng)合,考慮到損耗、體積及造價(jià)等因素,無RC緩沖回路的均壓方法更實(shí)用。此外,基于電壓軌跡控制和門極信號(hào)延時(shí)調(diào)整等有源方法,因控制電路過于復(fù)雜,使用場(chǎng)合受到限制。故有必要基于IGBT特性及均壓控制的要點(diǎn),選擇更有效的均壓方法。

在此首先分析IGBT各階段均壓控制的目標(biāo),采用穩(wěn)壓管箝位的峰值控制技術(shù),在低壓實(shí)驗(yàn)中驗(yàn)證了該均壓原理的有效性。然后針對(duì)該技術(shù)在高壓場(chǎng)合應(yīng)用時(shí)的缺點(diǎn),提出一種新的峰值控制方法,并通過仿真驗(yàn)證了該方法的有效性。

2 IGBT串聯(lián)均壓控制分析

作為IGBT的主要特性,輸出特性描述的是以門極電壓uGE為參考變量時(shí),集電極電流iC與集射極間電壓uCE的關(guān)系。輸出特性分為4個(gè)區(qū)域:飽和區(qū)、有源區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)。IGBT的動(dòng)態(tài)開關(guān)過程,主要是在截止區(qū)和飽和區(qū)間來回轉(zhuǎn)換,而在器件的轉(zhuǎn)換過程中經(jīng)過有源區(qū)。

IGBT器件通常有4種工作狀態(tài):關(guān)斷瞬態(tài)、關(guān)斷穩(wěn)態(tài)、開通瞬態(tài)、開通穩(wěn)態(tài)。因IGBT不均壓情況在關(guān)斷時(shí)比開通時(shí)更復(fù)雜,在此以關(guān)斷時(shí)的均壓控制為主要研究目標(biāo)。

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按外電路和器件內(nèi)部參數(shù)不一致等因素對(duì)uCE不均壓的影響效果,可將串聯(lián)IGBT關(guān)斷不均壓過程分為關(guān)斷瞬間的T1(uCE上升部分)、T2(拖尾部分)和關(guān)斷穩(wěn)態(tài)(T2以后)三階段,如圖1所示。T1階段,主要是由外電路和器件內(nèi)部參數(shù)的差異引起串聯(lián)IGBT的uCE不均壓。此時(shí)IGBT工作在有源區(qū),可通過調(diào)節(jié)uGE對(duì)uCE進(jìn)行控制;T2階段,引起串聯(lián)IGBT的uCE不均壓的主要因素是拖尾電流不同。此時(shí),IGBT進(jìn)入截止區(qū),uGE對(duì)拖尾電流無影響,由拖尾電流引起的uCE不均壓不受門極直接控制。關(guān)斷穩(wěn)態(tài)時(shí),只有很小的漏電流流過IGBT,并聯(lián)合適的均壓電阻即可實(shí)現(xiàn)IGBT串聯(lián)運(yùn)行。

3 基于峰值控制的均壓方法

IGBT均壓最直接的目的就是保證串聯(lián)運(yùn)行中每個(gè)IGBT的uCE都不超過安全極限。所以,對(duì)電壓峰值進(jìn)行控制是很重要、有效的技術(shù)路線。峰值控制不關(guān)心uCE的中間變化軌跡,只有當(dāng)uCE升至設(shè)定的電壓水平時(shí),均壓控制才開始起作用。當(dāng)所有串聯(lián)IGBT的uCE峰值都被箝位在給定值之內(nèi),就實(shí)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)均壓的目的。

3.1 穩(wěn)壓管箝位的峰值控制

通過上述對(duì)串聯(lián)IGBT均壓階段特性的分析,綜合各階段均壓控制的特點(diǎn),采用基于穩(wěn)壓管箝位的峰值控制方法實(shí)現(xiàn)IGBT串聯(lián)均壓,均壓電路如圖2a所示。該方法將串聯(lián)IGBT的關(guān)斷過程進(jìn)行優(yōu)化,在T1階段,使uCE具有兩階段電壓變化率,如圖2b所示。第1階段電壓變化率較快,以降低損耗:第2階段電壓變化率下降,以降低電壓不均衡度,并為箝位電路贏得更多的響應(yīng)時(shí)間。通過調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)折點(diǎn)和峰值箝位點(diǎn)的值,在IGBT關(guān)斷過程的損耗與電壓均衡度之間做出折中。在T2階段,由拖尾電流的差異引起不均壓,通過峰值箝位電路,向門極注入電流,改變uGE,使IGBT進(jìn)入有源區(qū),進(jìn)而控制uCE電壓,達(dá)到均壓控制。在關(guān)斷穩(wěn)態(tài)時(shí),均壓支路還起到均壓電阻的作用。

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絕緣柵雙極型晶體管 均壓 峰值控制

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