2~4 GHz波段低噪聲放大器的仿真設(shè)計(jì)

2013-09-13 16:17 來源:電子信息網(wǎng) 作者:洛小辰

利用pHEMT工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)2~4 GHz寬帶微波單片低噪聲放大器電路。本設(shè)計(jì)中采用了具有低噪聲、較高關(guān)聯(lián)增益、pHEMT技術(shù)設(shè)計(jì)的ATF-54143晶體管,電路采用二級級聯(lián)放大的結(jié)構(gòu)形式,利用微帶電路實(shí)現(xiàn)輸入輸出和級間匹配,通過ADS軟件提供的功能模塊和優(yōu)化環(huán)境對電路增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進(jìn)行了研究設(shè)計(jì),最終使得該LNA在2~4 GHz波段內(nèi)增益大于20 dB,噪聲小于1.2 dB,輸出電壓駐波比小于2,達(dá)到了設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求。

微波低噪聲放大器作為現(xiàn)代電子通信系統(tǒng)中重要組成器件,對整個(gè)通信接收系統(tǒng)的接收靈敏度和噪聲性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體技術(shù)和寬帶無線通信系統(tǒng)的發(fā)展,低噪聲放大器向著更低噪聲系數(shù)、更寬工作帶寬和更高輸出功率方向發(fā)展,并逐漸成為設(shè)計(jì)的熱點(diǎn)。因此,研究設(shè)計(jì)出高性能的低噪聲放大器具有十分重要的意義。由于高電子遷移率晶體管具有高頻率、低噪聲、大功率等一系列優(yōu)點(diǎn),所以用pHEMT制作的多級低噪聲放大器已廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星接收系統(tǒng)、電子系統(tǒng)及雷達(dá)系統(tǒng)。

1 器件選擇

本文選擇標(biāo)準(zhǔn)元器件庫中pHEMT晶體管、電阻、電容和微帶線等無源元件作為設(shè)計(jì)的參數(shù)模型進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。由于電路增益要求大于20 dB,單級pHEMT功率增益在10 dB左右,考慮到工作頻率很高,如匹配不當(dāng)會造成級間損耗比較嚴(yán)重,所以采用二級放大。由于寬帶設(shè)計(jì),所以重點(diǎn)對這一頻段的電路結(jié)構(gòu)和參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和優(yōu)化。

寬帶放大器的實(shí)現(xiàn)方案有多種,如反饋式、分布式、有耗匹配式、平衡式以及近年來出現(xiàn)的級聯(lián)分布式(CSSDA)寬帶放大器等。各種方案有不同的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用場合,因?yàn)榉从|同時(shí)獲得較寬工作帶寬和較好的輸入輸出駐波比,所以饋式寬帶放大器應(yīng)用較多。但是對于低噪聲放大器的設(shè)計(jì)而言,阻性反饋網(wǎng)絡(luò)的引入會使噪聲系數(shù)惡化。由于級聯(lián)系統(tǒng)的噪聲系數(shù)主要由第一級放大鏈路決定,后級的噪聲系數(shù)對系統(tǒng)的噪聲性能影響相對較小??紤]到低噪聲的設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)的兩級級聯(lián)放大器中第一級按照最小噪聲系數(shù)的原則進(jìn)行設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)拓展低噪聲放大器的工作頻帶;第二級中引入漏極到柵極的負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò),從而使得在整個(gè)工作頻段內(nèi)增益較平坦。

1


式(2)是二端口放大器的噪聲系數(shù)的表達(dá)式,其中Ys=Gs+jBs表示呈現(xiàn)在晶體管處的源導(dǎo)納,Yopt表示得出最小噪聲系數(shù)的最佳源導(dǎo)納,NFmin表示當(dāng)YS=Yopt時(shí)獲得的晶體管的最小噪聲系數(shù),RN表示晶體管的等效噪聲電阻,Gs表示源導(dǎo)納的實(shí)部。由式(2)可知,若選擇具有較小的RN值的晶體管,在Ys≠Yopt的條件下,電路整體能夠獲得相對較小的噪聲系數(shù)。ATF-54143在VDS=3 V,IDS=40 mA的偏置狀態(tài)下,其在2~4 GHz的頻率范圍內(nèi),可獲得較低的噪聲系數(shù)和輸入駐波比。

另外考慮到本設(shè)計(jì)放大器的增益指標(biāo)要求達(dá)到20 dB,所以電路要采用兩級放大器來實(shí)現(xiàn)。

2


2 直流偏置以及電路設(shè)計(jì)

放大器的直流偏置網(wǎng)絡(luò)決定了晶體管的工作狀態(tài),而且對匹配電路的結(jié)構(gòu)有很大影響,需要在電路設(shè)計(jì)之初就認(rèn)真考慮。對pHEMT放大器,一種比較常見的偏置方法是:給pHEMT漏級加一個(gè)正電壓,即采取單電源供電方式。本文采用的是圖1所示自偏置結(jié)構(gòu),柵極通過微帶線接地,源極接電阻R以獲得高于柵極的電位。該結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是采用單電源供電,使電路在使用中更為簡便。電路要求電源電壓為3.6 V,通過適當(dāng)選擇源極電阻R,令源極電位為0.6 V左右。

根據(jù)噪聲理論,放大器的噪聲系數(shù)主要由第一級放大器的噪聲系數(shù)決定,設(shè)計(jì)第一級放大器的輸入匹配網(wǎng)絡(luò)通常采用最小噪聲系數(shù)原則。在設(shè)計(jì)在級間匹配網(wǎng)絡(luò)時(shí),要使前級輸入阻抗與后級輸出阻抗匹配,同時(shí)后級晶體管獲得較大的增益和較低的噪聲系數(shù)。綜合考慮為了獲得較好匹配,通常采用多節(jié)微帶線匹配。輸出匹配電路設(shè)計(jì)主要考慮增益和駐波比,把微波管復(fù)數(shù)輸出阻抗匹配到負(fù)載實(shí)數(shù)阻抗。優(yōu)化設(shè)計(jì)根據(jù)此理論,可以實(shí)現(xiàn)很小的噪聲系數(shù)同時(shí)兼顧增益。

1 2 > 
放大器 仿真

相關(guān)閱讀

暫無數(shù)據(jù)

一周熱門