LSI選擇賽普拉斯并行nvSRAM非易失性存儲器

2013-09-13 13:11 來源:電子信息網 作者:蒲公英

賽普拉斯半導體公司日前宣布,LSI在其用于高性能服務器、工作站和外部存儲器的12Gb/s SAS主機總線適配器(HBA)中,選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)。nvSRAM為SAS HBA帶來高速度、低電壓、無故障的存儲器,提升了LSI解決方案的性能。LSI選擇并行nvSRAM的另一個原因是它可工作在不同的電壓下,而且廣受媒體好評。

LSI近期發(fā)布的LSI? SAS 9300 HBA系列產品是業(yè)界首款用于高性能服務器、工作站和外部存儲系統(tǒng)的12Gb/s SAS HBA解決方案。該系列的產品可加快存儲速度,專為諸如交易數據庫、Web 2.0、數據挖掘、視頻流媒體及編輯等場合的高性能應用而設計。

賽普拉斯并行nvSRAM的存取時間可快至25ns, 是市場上最快的異步非易失性RAM。nvSRAM還具有無限次讀寫和恢復和20年的數據保存能力,對于需要連續(xù)高速數據寫入和絕對非易失性數據安全且無需備用電池的應用,這一產品是非常理想的選擇。

LSI高級市場總監(jiān)Robin Wagner說:“隨著數據中心對存儲量管理要求的不斷提升,對12Gb/s SAS的需求隨之增長。我們曾成功地運用過廣受媒體贊譽的nvSRAM,完全能滿足我們LSI 9300系列產品的嚴苛要求。并行nvSRAM的靈活性能夠接受3V以下的工作電壓,從而簡化了產品設計流程,加速我們產品的上市進程?!?

賽普拉斯非易失性產品事業(yè)部高級總監(jiān)Rainer Hoehler說:“我們很高興存儲界的領先者LSI采用我們的并行nvSRAM產品。這一產品應用于業(yè)界首款12Gb/s解決方案,充分證明了其不同凡響的速度和可靠性?!?

并行nvSRAM系列產品有從256kb到8Mb的多種配置可供選擇,并可工作在工業(yè)溫度范圍內,擁有業(yè)界標準的封裝方式,如32-SOIC, 44-TSOPII, 48-SSOP, 48-FBGA 及 54-TSOPII等。欲了解更多關于賽普拉斯nvSRAM產品的信息,敬請訪問如下網址:www.cypress.com/go/NVM。

賽普拉斯的nvSRAM采用SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性存儲器制造工藝。nvSRAM非常適合需要高性能和絕對非易失性數據安全的應用,例如RAID系統(tǒng)、PLC、工業(yè)數據日志、計算和網絡系統(tǒng)、汽車發(fā)動機、服務器和交換機、航空電子、軍用系統(tǒng),以及游戲系統(tǒng)等。

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賽普拉斯是SONOS制造工藝的領先者,其旗艦產品PSoC?混合信號陣列、可編程時鐘及其他產品均采用這一工藝制造。SONOS與標準的CMOS技術兼容,還具有多種優(yōu)勢,例如長壽命、低功耗和抗輻射。SONOS技術在賽普拉斯自己的工廠和多個合作伙伴的工廠中同時采用。與其他基于磁技術的非易失性存儲技術相比,這一工藝在規(guī)模和可制造性方面擁有顯著的優(yōu)勢。賽普拉斯已發(fā)運了超過10億片采用與nvSRAM中相同的SONOS工藝制造的產品。

LSI 存儲器

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