全差分BiCMOS采樣/保持電路的仿真設(shè)計

2013-09-05 09:49 來源:電子信息網(wǎng) 作者:洛小辰

隨著數(shù)字技術(shù)、微機和模數(shù)轉(zhuǎn)換技術(shù)的研究與進(jìn)展,作為模擬和數(shù)字信號接口電路的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)得到了廣泛應(yīng)用。由于ADc中的重要組成單元——采樣/保持(S/H)電路的精度和速度直接決定ADC的性能,所以設(shè)計高性能S/H電路是改善ADC性能的重要一環(huán)。目前研究S/H電路的文獻(xiàn)有不少,例如文獻(xiàn)[1]設(shè)計了電荷翻轉(zhuǎn)型S/H電路,但該文未考慮開關(guān)導(dǎo)通電阻對電路性能的影響,S/H電路具有較大的失真;文獻(xiàn)[2]設(shè)計的S/H電路雖然考慮開關(guān)對電路的影響,但未曾考慮全差分運放電路共模輸出電壓對靜態(tài)工作點的影響。為了解決傳統(tǒng)S/H電路失真大和靜態(tài)工作點不穩(wěn)定的問題,采用0.25 μm BiCMOS工藝,設(shè)計了一款高速率、高精度的10位全差分BiCMOS S/H電路。文中改進(jìn)型自舉開關(guān)電路和雙通道開關(guān)電容共模反饋電路(CMFB)設(shè)計具有創(chuàng)新性。

1 整體設(shè)計思路

圖1為s/H電路的結(jié)構(gòu),Ucm為運放的共模輸入電壓,采樣開關(guān)N1和N2設(shè)計為圖2的自舉開關(guān),N3~N8采用NMOS開關(guān),以上開關(guān)在相應(yīng)的時鐘信號為高電平時閉合。當(dāng)φ1d為高電平、φ2為低電平時,輸入電壓uI通過電容CS進(jìn)行采樣;當(dāng)φ1d低電平、φ2高電平時,電路進(jìn)入保持階段,uI經(jīng)過采樣電容CS和反饋通道連接至運放輸出端,輸出端負(fù)載由CL驅(qū)動,這樣的采樣電路結(jié)構(gòu)使反饋系數(shù)接近于1。根據(jù)推導(dǎo),在采樣階段,CMOS開關(guān)工作在線性區(qū),采樣開關(guān)管柵-源電壓UGS與輸入電壓uI的關(guān)系為

UGS=UCP-UIsin(2πfIt)(1)

式中:UI為輸入電壓uI的幅值;fI為輸入信號頻率;UCP為采樣時鐘信號的幅值。在保持階段φ2導(dǎo)通,CS的下極板直接與運放的輸出端相連接,uI通過采樣電容傳輸至輸出端;當(dāng)采樣階段過渡到保持階段時,CMOS器件出現(xiàn)溝道電荷注入,同時在保持階段由于電容耦合,會出現(xiàn)時鐘反饋通道。因此利用下極板采樣技術(shù)降低開關(guān)動作時對采樣信號的影響,兩個階段CS上存儲的正負(fù)電荷相互抵消,從而消除了運放工作時產(chǎn)生的誤差。另外,選取合適的時間常數(shù)RC可以提高采樣速率。

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2 輸入端柵-源自舉開關(guān)的設(shè)計

當(dāng)uI=UIsin(2πfIt)時,圖1中的CMOS開關(guān)N1和N2的導(dǎo)通電阻與輸入信號呈非線性關(guān)系,因此對連續(xù)時間信號采樣時,會產(chǎn)生信號失真和幅度波動,這限制了采樣速率和S/H電路的開啟時間;且CMOS開關(guān)的柵.源電壓越大,導(dǎo)通電阻越小。若將N1和N2設(shè)計為柵-源自舉開關(guān),就能保證N1和N2的柵-源電壓不超出VDD,則導(dǎo)通電阻接近于常數(shù)并使失真降到最低。于是設(shè)計的柵.源自舉開關(guān)如圖2所示,CP為高電平時,VN1和VN2導(dǎo)通,電容C3充電至VDD,VN8和VN6導(dǎo)通,VN7關(guān)閉。CP為低電平時,VN1,VN2和VN8斷開,VP4,VH5和VN7導(dǎo)通,C3上電壓就經(jīng)過VP4,VN7和VN5加至VP5上,其柵-源電壓UGS=VDD;當(dāng)CP為高電平時,柵-源自舉開關(guān)Nl和N2導(dǎo)通,CP為低電平時柵.源自舉開關(guān)N1和N2關(guān)斷。在CP相VN6導(dǎo)通,A點電壓較高,開關(guān)VN1和VN2呈現(xiàn)阻性負(fù)載,因此存在著如圖2中虛線所示的泄漏電流ID,嚴(yán)重制約運放增益的提高。采用VP6進(jìn)行鉗位,使得CP相VN6處于關(guān)閉狀態(tài),并使采樣開關(guān)N1和N2自舉電壓提高10%,泄漏電流減小40%。由于存在著襯偏效應(yīng),所以N1和N2的導(dǎo)通電阻不能保持為定值,采用小尺寸的VP5不但可減小導(dǎo)通電阻,而且能改善線性度。圖2中輸出緩沖電容C4起到隔離作用。

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3 全差分運放的設(shè)計

對于圖1采樣/保持電路,在φld時刻對輸入差分信號采樣,φ2時刻將前一時刻存儲于Cs上的電荷傳到輸出端,φ1為下極板采樣開關(guān)N3和N4的控制時鐘信號,它比時鐘信號φ1d延時t1,使開關(guān)N3和N4先于開關(guān)N1和N2開通或關(guān)斷。圖3為圖1電路所要求的時鐘信號:設(shè)計的S/H電路是一個零階采樣電路,因為在采樣階段N7和N8都導(dǎo)通,輸人和輸出信號具有相同的直流分量;在采樣和保持階段電壓變化不明顯,但每一個采樣階段運放的輸出電壓都要置為0 V。因此,所設(shè)計全差分運放除了具有高速、高精度性能外,還要有輸入、輸出端短路的特性。

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圖4為多增益級折疊式共柵-共源運放電路,采用Q1和Q2雙極型晶體管(BJT)差動輸入方式,共柵-共源鏡像電流源VP3和VP4,VP1和VP2作為有源負(fù)載,藉此提高運放的電壓增益;采用Q3,Q4和Q5,Q6共基-共射電路作為運放的差動輸出級,以增強運放的負(fù)載驅(qū)動能力并具有高速特性;開關(guān)電容構(gòu)成共模反饋電路(CMFB),可使運放的輸出信號和輸入信號的直流分量相等;UB1,UB2,UB3和UB4為偏置電壓。轉(zhuǎn)換時間tC和建立時間tS分別約為采樣周期TS的1/8和3/8。經(jīng)過計算,當(dāng)fS為250 MHz時,tC=0.5 ns,tS=1.5 ns。這就要求轉(zhuǎn)換速率(SR)為500 V/μs,計算公式如下:SR=UP-P/tC(式中UP-P為輸入電壓峰-峰值,UP-P=250 mV)。為使運放獲得較高的直流增益和高精度,所設(shè)計S/H電路的絕對誤差δ≤±ULSB/2,它的輸出電壓有效值U。與直流增益A、采樣電容CS及寄生電容CP的關(guān)系式為

Uo≈UI[1-(1+CP/CS)/A](2)

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仿真 BiCMOS

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