到目前為止，富士通半導(dǎo)體已經(jīng)開發(fā)出了高頻段(13.6MHz)和超高頻段(860 MHz到960 MHz)RFID LSI產(chǎn)品。這些產(chǎn)品最重要的特點(diǎn)就是它們內(nèi)嵌FRAM。由于擦寫速度快、耐擦寫次數(shù)高，它們已經(jīng)作為數(shù)據(jù)載體型被動(dòng)RFID LSI而被全世界廣泛采用。
大存儲(chǔ)數(shù)據(jù)載體的優(yōu)勢(shì)就是RFID可以記錄可追溯數(shù)據(jù)，如制造數(shù)據(jù)、生產(chǎn)數(shù)據(jù)、物流數(shù)據(jù)、維護(hù)數(shù)據(jù)等，因此它可用于各種資產(chǎn)、產(chǎn)品和零部件的管理。由于大存儲(chǔ)數(shù)據(jù)載體具有這些優(yōu)勢(shì)，人們希望進(jìn)一步利用FRAM RFID來連接傳感器等設(shè)備。
基于這些市場(chǎng)需求，我們開發(fā)出了一種帶有串行接口的技術(shù);超高頻段RIFD LSI上的串行外圍接口(SPI)。
FRAM FRID LSI的附加值
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，使用鐵電材料作為數(shù)據(jù)載體，結(jié)合了隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)和只讀存儲(chǔ)器(ROM)的優(yōu)勢(shì)。作為用在RFID中的非易失性存儲(chǔ)器，電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(E2PROM)已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用，但是當(dāng)數(shù)據(jù)被寫入時(shí)，E2PROM需要內(nèi)部升壓電壓，因?yàn)閿?shù)據(jù)存儲(chǔ)的原則就是要看是否帶有電子電荷，所以它的寫入速度非常慢(需要數(shù)毫秒)，耐擦寫次數(shù)也僅限于10萬次。因此，大部分基于E2PROM的RFID LSI都是小存儲(chǔ)容量產(chǎn)品，只適合讀，不適合寫。
相比較而言，F(xiàn)RAM在寫和讀方面的性能一樣好，因?yàn)槎叩脑瓌t一樣。FRAM本身的擦寫速度是100納秒，耐讀/寫次數(shù)是100億次。這就是FRAM RFID為什么可以作為數(shù)據(jù)載體提供大存儲(chǔ)容量的原因。
存儲(chǔ)容量大、擦寫速度快的RFID的最重要的優(yōu)勢(shì)在于，它可以在自己的存儲(chǔ)器上記錄數(shù)據(jù)，由此可以將數(shù)據(jù)處理方式從集中數(shù)據(jù)管理轉(zhuǎn)變?yōu)榉稚?shù)據(jù)管理。傳統(tǒng)的E2PROM RFID在很多情況下都采用集中管理的方式，在這種模式下，數(shù)據(jù)存在了服務(wù)器端，需要與標(biāo)簽本身的ID相關(guān)聯(lián)。而FRAM RFID可以實(shí)現(xiàn)分散數(shù)據(jù)管理，數(shù)據(jù)可以存在標(biāo)簽上，由此減輕了服務(wù)器的載荷。這種方式尤其適合工廠自動(dòng)化(FA)和維修領(lǐng)域中的生產(chǎn)歷史管理。在工廠自動(dòng)化領(lǐng)域中，有數(shù)百個(gè)流程都需要經(jīng)常寫入數(shù)據(jù);在維修領(lǐng)域中，現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)確認(rèn)時(shí)也需要經(jīng)常寫入數(shù)據(jù)，如維修歷史、零部件信息等，這樣就不需要詢問數(shù)據(jù)服務(wù)器。
FRAM的另一個(gè)主要特點(diǎn)，就是在防輻射方面明顯優(yōu)于E2PROM。例如，在醫(yī)療設(shè)備和包裝、食品或者亞麻布的伽瑪射線滅菌過程中，存在E2PROM中的數(shù)據(jù)會(huì)受到放射線的嚴(yán)重影響，因?yàn)樗臄?shù)據(jù)存儲(chǔ)采用的是電子電荷。而存在FRAM中的數(shù)據(jù)在高達(dá)45kGy的放射水平下仍然不會(huì)受到影響。
在RFID LSI上內(nèi)置串行接口
FRAM RFID LSI上已經(jīng)內(nèi)置了串行接口，為作為數(shù)據(jù)載體的RFID提供了額外的功能。這種配置的主要特點(diǎn)就是，對(duì)于同一個(gè)FRAM存儲(chǔ)區(qū)來說，既可以從串行接口進(jìn)入，也可以從RF接口進(jìn)入。
通過串行接口與微控制器(以下將“微控制器”簡(jiǎn)稱為“MCU”)相連后，F(xiàn)RAM可以作為MCU的外部存儲(chǔ)，并通過RF接口進(jìn)入。因此，RFID閱讀器就可以閱讀MCU寫過的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而對(duì)于MCU來說，就可以閱讀參數(shù)數(shù)據(jù)，如通過RF接口編寫的運(yùn)行環(huán)境。
例如，我們可以假設(shè)傳感器與MCU相連，那么就可以將RFID看作是一種傳感器標(biāo)簽。在這種情況下，MCU會(huì)定期監(jiān)測(cè)傳感器數(shù)據(jù)，然后寫入FRAM存儲(chǔ)器，過段時(shí)間后，就可以通過RF接口讀取所收集的可追溯數(shù)據(jù)。同時(shí)，也可將RFID看作MCU的參數(shù)存儲(chǔ)器。在這種情況下，MCU就是存在指定存儲(chǔ)區(qū)的一些參數(shù)，存儲(chǔ)區(qū)中的數(shù)據(jù)可以通過RF接口改寫，然后MCU就會(huì)改變間隔獲取傳感器數(shù)據(jù)，或者更改閃光燈的條件進(jìn)行告知。就RFID和傳感器之間的結(jié)合而言，有源標(biāo)簽也是個(gè)眾所周知的解決方案。但是有源標(biāo)簽只是一種單向通訊模式，它沒有可供RF閱讀器日后讀取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。因此有源標(biāo)簽不能作為數(shù)據(jù)載體記錄可追溯數(shù)據(jù)。
另一方面，F(xiàn)RAM RFID由于存儲(chǔ)容量大，能夠記錄可追溯數(shù)據(jù)，標(biāo)簽不在RF區(qū)域時(shí)也可通過串行接口記錄數(shù)據(jù)。
除了傳感應(yīng)用外，內(nèi)置串行接口的RFID在理論上可以與受MCU控制的各種應(yīng)用相連接。
實(shí)際應(yīng)用可能包括對(duì)工廠設(shè)備狀態(tài)的監(jiān)測(cè)，比如壓力、流量等，或者游戲機(jī)、醫(yī)療設(shè)備等的歷史數(shù)據(jù)記錄。就目前掌握的信息來看，這些應(yīng)用中，有些通過現(xiàn)有的技術(shù)(如非接觸式智能卡)就已經(jīng)達(dá)到了應(yīng)用要求，有些采用了我們的技術(shù)后在存儲(chǔ)容量、傳輸速度等方面還沒達(dá)到要求。
但是我們希望通過這一技術(shù)能發(fā)現(xiàn)RFID新的用途和應(yīng)用，并能將該技術(shù)做進(jìn)一步的測(cè)試，從而實(shí)現(xiàn)更多構(gòu)想。
