瞄準超輕薄超極本(Ultrabook)、筆記本電腦及平板裝置終端用戶對于更高運算效能與反應速度的SSD需求，SanDisk已率先業(yè)界發(fā)布采用19納米(nm)NAND Flash制造的固態(tài)硬盤(SSD )，以迎合消費者和個人電腦(PC)制造商對于更高運算效能及更快反應速度的要求。
SanDisk客戶儲存解決方案行銷總監(jiān)Cliff Sun表示，現(xiàn)階段，三星(Samsung)、英特爾(Intel)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)及??SanDisk前五大SSD供應商中，僅有SanDisk擁有自己的儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶圓廠，因此旗下SSD的成本更具競爭力，且能更快導入先進奈米制程投產(chǎn)新一代SSD方案。
SanDisk客戶儲存解決方案行銷總監(jiān)Cliff Sun
Sun指出，該公司采用19奈米制程量產(chǎn)的SSD，每秒連續(xù)讀寫速度高達550MB/s，隨機讀取最高達95，000的每秒輸入輸出運轉(zhuǎn)次數(shù)(IOPS)，以及隨機寫入可達78，000 IOPS，因此更能滿足游戲玩家與多媒體終端消費者用的筆記型電腦和平板裝置對于效能與反應速度的要求。
據(jù)了解，SanDisk采用先進19奈米制程的SSD，還導入自家的智慧快閃記憶體架構(gòu)--專利高效能分層系統(tǒng)架構(gòu)(High-performance Tiered System Architecture)，以及該公司獨家的nCache加速技術(shù)，可達到更高性能、更快反應速度及更省電的水準。
此外，為進一步協(xié)助筆電、Ultrabook及平板裝置品牌客戶降低整體物料清單(BOM)成本，SanDisk利用19奈米制程生產(chǎn)的新款SSD將內(nèi)建自行開發(fā)的主控制器。不過Sun強調(diào)，盡管該公司已為19奈米SSD開發(fā)出專屬的控制器，但目前其他系列產(chǎn)品線仍持續(xù)采用美滿電子(Marvell)、LSI、SK Hynix等控制器業(yè)者供應的產(chǎn)品，至于對外采購的控制器比重則無法透露。
另一方面，針對二維(2D)NAND Flash將于10奈米制程面臨微縮瓶頸，Sun認為，IM Flash與東芝正擘畫的3D NAND制程可望突破NAND Flash微縮關卡，預期將成為NAND Flash生產(chǎn)技術(shù)的大勢所趨，不過該制程技術(shù)導入量產(chǎn)仍面臨諸多挑戰(zhàn)，因此日后SanDisk將會視客戶需求，再提出發(fā)展3D NAND制程的相關計畫。
