東芝提出16nm制程工藝

2013-08-28 15:48 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng) 作者:洛小辰

對(duì)于電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō),制程的提升意味著性能、體積和功耗同時(shí)變得更好,所以很多半導(dǎo)體廠商都在制程提升上做出很多努力。近日,東芝提出了16nm制程工藝的方法。

目前大多數(shù)存儲(chǔ)芯片處于30nm制程,而邏輯電路更是在42nm制程徘徊。而東芝已經(jīng)宣布他們?cè)谥瞥烫嵘先〉昧送黄疲麄円呀?jīng)可以制造出16nm甚至更低制程的場(chǎng)效應(yīng)管。突破的關(guān)鍵是他們使用了鍺代替現(xiàn)在流行的硅,鍺一直以來(lái)都被認(rèn)為有潛力制造更小的設(shè)備,但是它也比硅存在更多的問(wèn)題,難于控制。但是現(xiàn)在硅化合物的潛能已經(jīng)發(fā)掘殆盡,所以人們?cè)僖淮螌⒛抗廪D(zhuǎn)向了鍺。

半導(dǎo)體 存儲(chǔ)芯片 邏輯電路

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