近五年之內(nèi)，一些新型的非易失性存儲器技術(shù)如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不斷涌現(xiàn)，但達(dá)到出色市場量產(chǎn)業(yè)績的只有 FRAM。那么現(xiàn)如今FRAM在中國的應(yīng)用進(jìn)展如何?在哪些更多的應(yīng)用領(lǐng)域正在取代傳統(tǒng)的EEPROM、SRAM和閃存和閃存呢?
在日前于上海、北京、深圳三地巡回舉辦的2013富士通半導(dǎo)體MCU/FRAM鐵電存儲器技術(shù)研討會上，來自日本的華裔存儲器專家、富士通半導(dǎo)體系統(tǒng)存儲器事業(yè)部市場部產(chǎn)品高級經(jīng)理馮逸新在演講開場白中即提到：“我16年前留學(xué)日本并一直工作生活在那里，這十幾年我深刻地感受到了中國經(jīng)濟(jì)的巨大變化，比如中國已超過日本成為第二大經(jīng)濟(jì)實體，不久將趕上美國，而中國也已成為日本的第一大經(jīng)濟(jì)伙伴，中國也已成為富士通集團(tuán)全球最大的市場，而富士通FRAM鐵電存儲器的最大市場也是在中國!”
圖1：富士通半導(dǎo)體2013 FRAM鐵電存儲器技術(shù)研討會現(xiàn)場
富士通FRAM的優(yōu)勢
有數(shù)據(jù)顯示，從1999截至2013年6月，富士通的FRAM鐵電存儲器產(chǎn)品累計交貨已達(dá)23億片，而具有非易失性、低功耗 、高速燒寫 、高讀寫耐久性(一萬億次以上)、隨機(jī)存取等正是FRAM脫穎而出的競爭優(yōu)勢。
與傳統(tǒng)的非易失性存儲器如EEPROM相比，富士通FRAM的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在高速燒寫(40,000 倍)、高耐久性(1,000,000 倍 )和低功耗(1/1,000 )等方面。高速燒寫可確保實時存儲，可幫助系統(tǒng)設(shè)計者解決實時存儲數(shù)據(jù)和幫助系統(tǒng)設(shè)計者解決了突然斷電數(shù)據(jù)丟失的問題;高耐久性的特點，可以實現(xiàn)頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài);低功耗主要指寫入時不需要高電壓。 這些優(yōu)勢使得FRAM越來越多地被需要高可靠性的應(yīng)用領(lǐng)域所采用，比如計量儀表(三相電表以及水表、氣表等)、電力自動化、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標(biāo)簽、汽車后裝設(shè)備、POS機(jī)/金融ATM機(jī)等等。
馮逸新在演講中表示：“FRAM從性能和實用性、量產(chǎn)經(jīng)驗等幾個方面都是在新型非易性失存儲器領(lǐng)域占絕對優(yōu)勢地位的。當(dāng)您在FRAM、MRAM、ReRAM、nvSRAM 、PRAM之間猶豫的時候，我非常自信地推薦大家采用FRAM?！?
富士通FRAM的前世今生
很多人恐怕不知道，迄今為止富士通半導(dǎo)體與FRAM有著14年的淵源和供貨歷史!自1999年開始到2010年之前，作為當(dāng)時排名前五大半導(dǎo)體公司的富士通半導(dǎo)體一直在為Fabless公司Ramtron(2012年被CYPRESS收購)做單體存儲器的量產(chǎn)晶圓代工。到了2010年雙方的合作因戰(zhàn)略方向變化而終止。2010年后，富士通半導(dǎo)體應(yīng)用獨自開發(fā)的先進(jìn)工藝技術(shù)繼續(xù)開發(fā),生產(chǎn),并在全球全面推廣銷售FRAM單體存儲器直至現(xiàn)在。
“我們當(dāng)時做了兩個戰(zhàn)略上的轉(zhuǎn)移：基于單體FRAM存儲器業(yè)務(wù)與Ramtron代工合作關(guān)系,我們?yōu)槿毡緡鴥?nèi)一些客戶開發(fā)了一些256k、1M和2M存儲器產(chǎn)品，并沒有在全球推廣.。我們把業(yè)務(wù)重點放在為一些頂級的復(fù)印機(jī)廠商定制集成了FRAM的LSI上,這個產(chǎn)品是用以防止假冒墨盒的泛濫，這一塊占了我們當(dāng)時業(yè)務(wù)的很大比例。與Ramtron代工合作結(jié)束后，富士通半導(dǎo)體就正式向全球推廣自己的FRAM產(chǎn)品, 短短三年內(nèi)從當(dāng)時的三種發(fā)展到現(xiàn)在的17種，這大多是根據(jù)中國市場的需求而開發(fā)的。目前中國市場的銷售額在全球FRAM業(yè)務(wù)銷售額中超過50%?！瘪T逸新介紹道。
由于控制著FRAM的整體開發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序，加上多年的經(jīng)驗，富士通半導(dǎo)體因而能始終保證FRAM產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩(wěn)定供應(yīng)。富士通半導(dǎo)體還在低功耗制造工藝上不斷創(chuàng)新，進(jìn)一步降低成本價格，實現(xiàn)大容量化。
至于具體的產(chǎn)品系列，下圖顯示了截至2013年5月富士通半導(dǎo)體FRAM單體存儲器的產(chǎn)品系列情況，可按接口類型分為三類：串行I2C接口、串行SPI和并行接口產(chǎn)品。采用串行接口的FRAM替代E2PROM或串行閃存，而采用并行接口的FRAM產(chǎn)品可以代替低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)?？梢钥吹?，該公司的FRAM覆蓋的容量從4Kb到4Mb，非常寬泛，并已在著手研發(fā)8Mb產(chǎn)品，逐步實現(xiàn)大容量化。
