我們對Intel的200GB 710企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD)的主要興趣是，產(chǎn)品設計重點主要放在耐用性、可靠性和功效上。而將多層單元(MLC)NAND閃存用作主存儲部件也值得關注。Intel將固態(tài)硬盤中的這種MLC NAND實現(xiàn)稱為高耐用性技術(HET)。
據(jù)Intel介紹，HET包含有Intel自己開發(fā)的固件、Intel控制器和高循環(huán)次數(shù)NAND。這種技術結(jié)合了NAND硅增強性能和獨特的固態(tài)硬盤NAND管理技術，可擴展基于MLC的固態(tài)硬盤的寫入耐用性，實現(xiàn)最優(yōu)的耐用性和操作性能。Intel HET固件增強方面除了一般的工業(yè)糾錯碼(ECC)標準外，還包括優(yōu)化的錯誤避免技術、寫入放大率抑制算法以及系統(tǒng)級錯誤管理功能。
單層單元(SLC)閃存通常是企業(yè)級固態(tài)硬盤的更理想選擇，因為從一個單元讀取一個比特的誤差率非常低，而且耐用性也很高。而多層單元(MLC)閃存存在更高的誤碼率，因此讓人感覺耐用性也低很多。然而，業(yè)界一直致力于研究在企業(yè)級固態(tài)硬盤中使用MLC閃存，因為它們可以提供更大的存儲容量，降低生產(chǎn)成本。
通過HET實現(xiàn)，Intel想到了一種實現(xiàn)更具可靠性的MLC閃存的方法，它基于這樣一個事實：一個批次中并不是所有MLC閃存芯片都具有相同的特性。一些芯片可能具有更高的讀性能和更好的數(shù)據(jù)保持質(zhì)量，對這些特性的理解成為了Intel在710固態(tài)硬盤中將MLC NAND閃存用作HET的主要原因。
1.20個MT29F16B08CCME1 NAND MLC集成電路，以鏡像方式安裝在電路板的正反面，實現(xiàn)了存儲容量高達200GB的Intel 710固態(tài)硬盤。
每個NAND閃存器件封裝包含兩個堆疊的64Gb、25nm L74A NAND閃存裸片，因此每個封裝容量為128Gb?？偟拈W存容量實際上是320GB，因此具有很高程度的預留空間。
2.系統(tǒng)存儲控制器使用了一個512Mb的海力士H55S5162EFR移動SDRAM。Intel使用移動SDRAM的決定是很有意義的，因為它能提供要求的性能等級，同時又能最大限度地降低功耗。這里降低功耗很重要，因為在硬盤工作時DRAM具有很大的處理工作量，特別是在企業(yè)級應用中。
3.并聯(lián)使用了6個470μF的電容，可以存儲要求的緊急電量，并在發(fā)生電源故障時讓硬盤有足夠長的時間退出正在進行的操作?？?cè)萘拷咏?.8mF。這種方法不僅能在短時間內(nèi)給硬盤提供足夠的電能，而且不會占用很大的電路板空間。
4.這種固態(tài)硬盤使用了Intel的PC29AS21BA0控制器。其它Intel固態(tài)硬盤也使用這種控制器，但很可能固件得到了更新，使得它特別適合710硬盤的使用情況。
