瑞薩電子推出40納米工藝MCU

2013-08-09 10:00 來源:電子信息網(wǎng) 作者:蒲公英

如今,嵌入式系統(tǒng)在汽車電子系統(tǒng)中的運(yùn)用越來越廣泛,其結(jié)構(gòu)也日趨復(fù)雜,而消費(fèi)者對(duì)于電子系統(tǒng)的性能要求也在日益增長(zhǎng),車主們希望其有更快的反饋速率,更簡(jiǎn)便的操控,以及更強(qiáng)的穩(wěn)定性。為了適應(yīng)需求,瑞薩電子推出一款能夠滿足大規(guī)模電路并容納大量?jī)?nèi)置程序的微控制器。

快速存取 高耐溫性

高性能微控制器必須要擁有大容量的內(nèi)部閃存以存儲(chǔ)復(fù)雜的控制算法和應(yīng)用代碼。瑞薩電子的新款微控制器產(chǎn)品主要將對(duì)芯片的片上閃存進(jìn)行擴(kuò)展。

一塊高性能微控制芯片不僅要擁有大容量的片上閃存,還需要高速的讀存取速率,這樣CPU才能快速的獲取存儲(chǔ)的數(shù)字信息,并最大限度地提高程序的執(zhí)行效率。若閃存讀取速度緩慢,那么整個(gè)邏輯電路就會(huì)發(fā)生木桶短板效應(yīng),發(fā)揮不了系統(tǒng)最大的性能。CPU的時(shí)鐘周期如果被浪費(fèi)用來等待閃存讀取,那么整個(gè)系統(tǒng)的執(zhí)行效率顯然會(huì)降低。改進(jìn)應(yīng)用程序性能和簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)對(duì)于獲得最快的閃存讀存取速度至關(guān)重要。

下圖為瑞薩電子MCU發(fā)展時(shí)間-閃存讀取速度圖:可以看到,到2010年,瑞薩MCU芯片大小為40納米,響應(yīng)頻率大大超過100MHz(紅色虛線)。而傳統(tǒng)MCU芯片供應(yīng)商(藍(lán)色實(shí)線)產(chǎn)品的閃存讀取頻率仍低于40MHz,很大程度上限制了芯片的性能發(fā)揮。

1

圖1:MCU和內(nèi)置閃存的工作頻率變化歷史

1 2 3 > 
MCU 瑞薩電子

相關(guān)閱讀

暫無數(shù)據(jù)

一周熱門