三星半導(dǎo)體在2024 ODCC上分享生成式AI時代大容量高性能的存儲解決方案

2024-09-03 14:54 來源:美通社 作者:電源網(wǎng)

深圳2024年9月3日 /美通社/ -- 9月3日,由開放數(shù)據(jù)中心委員會 (ODCC) 主辦的"2024開放數(shù)據(jù)中心峰會"在北京國際會議中心隆重召開。三星電子副總裁兼閃存應(yīng)用工程師團(tuán)隊負(fù)責(zé)人,沈昊俊在會上發(fā)表了"跨入未來:人工智能時代的存儲創(chuàng)新"的主題演講。他深入淺出的介紹了推動社會進(jìn)入生成式AI新時代的三大因素,即計算能力的飛躍,大語言模型(LLM)的精進(jìn),以及各種AI服務(wù)的興起,并進(jìn)一步探討了生成式AI時代"更優(yōu)AI"的技術(shù)趨勢,指出新時代面臨的挑戰(zhàn)不僅僅是存儲器大容量的需求,隨著邁向更精密的AI模型,存儲器的高性能讀寫能力也是當(dāng)下面臨的巨大挑戰(zhàn)。

三星電子副總裁,閃存應(yīng)用工程師團(tuán)隊負(fù)責(zé)人沈昊?。═homas Shim)發(fā)表主題演講
三星電子副總裁,閃存應(yīng)用工程師團(tuán)隊負(fù)責(zé)人沈昊?。═homas Shim)發(fā)表主題演講

演講中,沈昊俊介紹了為解決這些問題三星半導(dǎo)體提出的存儲解決方案和行業(yè)主流應(yīng)用趨勢。為克服性能和容量的制約,采用并行搭載HBM和DRAM的方式正在逐漸成為行業(yè)趨勢。其中HBM在性能方面扮演重要角色,DRAM則日益突破內(nèi)存容量限制,滿足市場對大容量的需求。

關(guān)于目前行業(yè)主流應(yīng)用的大容量存儲產(chǎn)品,沈昊俊分別介紹了三星半導(dǎo)體目前單芯片容量最大32Gb的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品,不久將可供應(yīng)128GB/256GB等大容量封裝規(guī)格;以及擁有目前三星最高隨機(jī)寫入性能400K IOPS的高性能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。

關(guān)于性能突破方面,三星的主要代表產(chǎn)品有通過12層單die24Gb容量堆疊技術(shù)實現(xiàn)的36GB容量的HBM3E Shine Bolt,每引腳速度可達(dá)三星最快8Gbps,峰值速率高達(dá)1TB/s;于此同時三星在存內(nèi)處理技術(shù)上取得顯著進(jìn)展,LPDDR5X-PIM產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)能效提高70%左右,同時可以將性能提升最多8倍。

最后,三星從總成本優(yōu)化(TCO)層面說明了CXL存儲產(chǎn)品可在任何xPU環(huán)境中擴(kuò)展容量和性能,以及無需兼容性驗證即可引入和運行的優(yōu)勢,并進(jìn)一步強調(diào)未來大容量趨勢中,基于QLC NAND技術(shù)的SSD產(chǎn)品BM1743未來可提供的大容量規(guī)格計劃。

三星在2024 ODCC上榮獲產(chǎn)品獎項
三星在2024 ODCC上榮獲產(chǎn)品獎項

三星在本次2024開放數(shù)據(jù)中心峰會上獲得了"優(yōu)秀合作伙伴"的稱號,與此同時,沈昊俊也強調(diào)了在技術(shù)挑戰(zhàn)面前緊密合作的重要性。三星將一如既往地與合作伙伴和客戶攜手合作,共同克服內(nèi)存技術(shù)的挑戰(zhàn),將不確定性轉(zhuǎn)化為機(jī)遇,攜手開創(chuàng)AI時代的未來。

三星半導(dǎo)體 2024 ODCC AI時代

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