韓國首爾2023年6月8日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，https://www.skhynix.com）8日宣布，已開始量產238層4D NAND閃存，并正在與生產智能手機的海外客戶公司進行產品驗證。此前，公司于去年8月成功開發(fā)出世界最高238層NAND閃存。
SK海力士開始量產的世界最高238層4D NAND閃存和解決方案產品
SK海力士強調："公司以238層NAND閃存為基礎，成功開發(fā)適用于智能手機和PC的客戶端SSD（Client SSD）解決方案產品，并在5月已開始量產。公司在176層甚至在238層產品，都確保了成本、性能和品質方面的世界頂級競爭力，期待這些產品在下半年能夠起到改善公司業(yè)績的牽引作用。"
238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。此產品的數據傳輸速度為每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。并且也改善了約20%的讀寫性能，由此公司自信，可將為采用該產品的智能手機和PC客戶提供更高的性能。
SK海力士計劃在完成智能手機客戶公司的驗證后，首先向移動端產品供應238層NAND閃存，隨后將其適用范圍擴大到基于PCIe 5.0*的PC固態(tài)硬盤（SSD）和數據中心級高容量固態(tài)硬盤產品等。
*PCIe 5.0：PCIe（Peripheral Component Interconnect Express）是為高速輸入、輸出數據而開發(fā)的串行結構的接口規(guī)格。PCIe 5.0可提供PCIe 4.0的二倍帶寬（32GT/s，千兆傳輸/秒）。
SK海力士238層NAND擔當副社長金占壽表示："公司今后將繼續(xù)突破NAND閃存技術局限，并加強競爭力，在即將到來的市場反彈周期迎來大轉機。"
關于SK海力士
SK海力士總部位于韓國，是一家全球領先的半導體供應商，為全球客戶提供DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器），NAND Flash（NAND快閃存儲器）和CIS（CMOS圖像傳感器）等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市，其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多，請點擊公司網站www.skhynix.com， news.skhynix.com.cn。
