新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布，推出用于超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、人工智能和網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的多芯片模塊(MCM)超短距離連接的DesignWare® Die-to-Die PHY IP核。DesignWare Die-to-Die PHY IP核支持從2.5G到112G數(shù)據(jù)速率的NRZ和PAM-4信令，為大型MCM設(shè)計(jì)提供最大的每芯片邊緣吞吐量。為了提高片上系統(tǒng)(SoC)產(chǎn)量，Die-to-Die PHY允許將大型芯片分割成較小的芯片，同時(shí)為功率、單位IO寬度、延遲或傳輸距離的帶寬提供了權(quán)衡。作為新思科技全面云計(jì)算IP核解決方案的最新補(bǔ)充，DesignWare Die-to-Die PHY由經(jīng)流片驗(yàn)證的112G/56G以太網(wǎng)、HBM 2/2e、DDR 5/4和PCI Express 5.0控制器、PHY和驗(yàn)證IP核組成。
新思科技為設(shè)計(jì)者提供了全面的布線可行性分析、封裝基板指南、信號和電源完整性模型以及串?dāng)_分析，以便將DesignWare Die-to-Die PHY快速集成到片上系統(tǒng)中。X16通道配置中的半雙工發(fā)射器和接收器為高吞吐量的die-to-die連接提供每毫米每秒1.8TB的單向帶寬。為了滿足先進(jìn)FinFET工藝中片上系統(tǒng)的功率要求，Die-to-Die PHY為超低功耗die-to-die和die-to-optical的引擎連接提供不到1 pJ/bit的功耗。DesignWare Die-to-Die PHY IP核符合OIF CEI-112G和CEI-56G 超短距離(USR)和超短程(XSR)連接標(biāo)準(zhǔn)。
新思科技解決方案事業(yè)部營銷副總裁John Koeter表示：“用于高端數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的先進(jìn)片上系統(tǒng)正在接近最大的晶片尺寸限制，這就要求設(shè)計(jì)者將片上系統(tǒng)劃分為較小的模塊化芯片。具有領(lǐng)先功耗、性能和面積的DesignWare Die-to-Die PHY IP核使我們的用戶能夠滿足其在設(shè)計(jì)最先進(jìn)FinFET工藝方面的短距離連接需求，并迅速向市場提供與眾不同的差異化產(chǎn)品。”
可用性
7nm FinFET工藝的DesignWare Die-to-Die PHY IP核的硅設(shè)計(jì)工具包現(xiàn)已推出。
