重點：
?工具通過了適合最新版本臺積電N5/N5P DRM和SPICE模型的認(rèn)證
?啟用新思科技功耗優(yōu)化，支持移動設(shè)備的超低功耗需求
?設(shè)計實現(xiàn)與signoff的相關(guān)一致性，通過了針對時序與參數(shù)提取的認(rèn)證，縮短上市時間
?合作還擴展至臺積電的N6工藝技術(shù)認(rèn)證，支持早期客戶參與
新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布其數(shù)字與定制設(shè)計平臺的數(shù)十項創(chuàng)新功能已獲得高性能計算(HPC)和移動芯片設(shè)計所必需的臺積電最先進5nm工藝技術(shù)認(rèn)證。除了高性能計算和移動芯片設(shè)計流程認(rèn)證外，新思科技設(shè)計工具還獲得臺積電業(yè)界領(lǐng)先的N5P和N6工藝技術(shù)認(rèn)證，為早期客戶設(shè)計工作提供支持。
臺積電設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施管理部門高級總監(jiān)Suk Lee表示：“我們與新思科技的密切合作確保了良好的設(shè)計流程，以幫助客戶應(yīng)對高性能計算和移動設(shè)計日益復(fù)雜的要求，并實現(xiàn)5納米工藝的流片創(chuàng)新。作為臺積電生態(tài)系統(tǒng)的合作伙伴，新思科技繼續(xù)擴大在臺積電最先進5納米工藝上實現(xiàn)高性能計算和移動設(shè)計解決方案的領(lǐng)先優(yōu)勢。
在高性能計算和移動設(shè)計流程中增強多種設(shè)計工具功能使設(shè)計人員能夠最大限度地利用臺積電5納米工藝在邏輯密度、性能和功耗方面超越上一代工藝節(jié)點的優(yōu)勢。從布局規(guī)劃和布局開始，Synopsys Design Compiler® Graphical綜合和IC Compiler? II布局與布線創(chuàng)建了新功能，以處理新的5納米間距、鄰接和邊界單元插入所適用的布局規(guī)則。對于移動設(shè)備的超低功耗需求，需要增加并使用越來越多的低漏電單元品種。因此，IC Compiler II也進行了功能升級，以應(yīng)對低漏電單元布局合規(guī)化所增加的復(fù)雜性。作為高性能計算和移動設(shè)計流程平臺認(rèn)證的一部分，新思科技StarRC?和PrimeTime® signoff解決方案”的結(jié)果與設(shè)計實現(xiàn)的結(jié)果進行了嚴(yán)格比較，以成功實現(xiàn)設(shè)計流程的相關(guān)一致性目標(biāo)，從而提高設(shè)計收斂性，縮短整體上市時間。
新思科技芯片設(shè)計事業(yè)部營銷戰(zhàn)略副總裁Michael Sanie表示：“高性能計算和移動市場的快速創(chuàng)新，需要芯片團隊更好利用5納米加工技術(shù)，支持客戶滿足他們的設(shè)計和上市時間要求。與臺積電的最新合作，可以更好地支持高性能計算和移動芯片設(shè)計的客戶。我們將持續(xù)努力，為優(yōu)化性能、功耗和邏輯密度提供一流的解決方案，并幫助客戶按時上市?！?
合作包含新思科技設(shè)計平臺的關(guān)鍵產(chǎn)品和功能包括：
?IC Compiler II布局布線：全自動、全色布線和提取支持，加上擴展的過孔支柱自動化。部署新一代布局和布局合規(guī)化技術(shù)，包括先進引腳訪問模型，以支持強力地縮小單元占用空間，提高設(shè)計利用率。
?PrimeTime時序signoff：針對低電壓的先進變異建模，和增強的ECO技術(shù)，支持新的物理設(shè)計規(guī)則。
?PrimePower功耗signoff：先進的物理感知功耗模型，以精確分析超高密度標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計的漏電效應(yīng)。
?StarRC提取signoff：處理5納米器件復(fù)雜性的高級建模，以及采用一種共用的技術(shù)文件，用于從綜合到布局布線到Signoff的寄生提取一致性。
?IC Validator物理signoff：原生開發(fā)的合格DRC、LVS和填充運行集。DRC運行集在臺積電發(fā)布設(shè)計規(guī)則的同時發(fā)布。
?HSPICE®、CustomSim?和FineSim®仿真解決方案：精確的FinFET器件建模，具有蒙特卡羅功能支持，以及模擬、邏輯、高頻和SRAM設(shè)計的電路仿真。
?CustomSim可靠性分析：符合5納米電遷移規(guī)則的考慮自熱效應(yīng)的動態(tài)晶體管級IR/EM分析。
?Custom Compiler?定制設(shè)計：支持新的5納米設(shè)計規(guī)則、著色流程、多晶軌道區(qū)和新的MEOL連接要求。
?NanoTime定制設(shè)計時序signoff：5納米器件的運行時間優(yōu)化，F(xiàn)inFET堆的POCV分析，以及針對定制邏輯和嵌入式SRAM的增強信號完整性分析。
?ESP-CV定制設(shè)計功能驗證：用于SRAM、宏和庫單元設(shè)計的晶體管級符號等價性檢查。
