新思科技和臺(tái)積合作在其5奈米 FinFET

2019-11-12 15:10 來源:美通社 作者:電源網(wǎng)

新思科技(Synopsys, Inc.,納斯達(dá)克股票代碼:SNPS)近日宣布與臺(tái)積公司(TSMC)達(dá)成合作,在其5奈米 FinFET 強(qiáng)化版(N5P)制程技術(shù)上開發(fā)一系列廣泛的DesignWare®接口IP核、邏輯庫、嵌入式存儲(chǔ)器和一次性可編程非易失性存儲(chǔ)器(NVM)IP核。依托臺(tái)積公司5奈米(N5)制程開發(fā)的DesignWare IP核解決方案,設(shè)計(jì)人員能夠在移動(dòng)和云計(jì)算設(shè)計(jì)方面實(shí)現(xiàn)性能、密度和功耗目標(biāo)。此次合作進(jìn)一步強(qiáng)化了兩家公司長(zhǎng)期合作關(guān)系,為設(shè)計(jì)人員提供降低風(fēng)險(xiǎn)、實(shí)現(xiàn)芯片差異化和加快產(chǎn)品上市所需的高質(zhì)量IP核

臺(tái)積公司設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)管理部高級(jí)總監(jiān)Suk Lee 表示:“近20年來,臺(tái)積公司一直與新思科技緊密合作,在最先進(jìn)的工藝上提供經(jīng)驗(yàn)證的廣泛DesignWare IP核,幫助共同客戶加快推出產(chǎn)品。我們對(duì)此次合作成果感到非常滿意,它令設(shè)計(jì)人員能夠加快其先進(jìn)的移動(dòng)和云計(jì)算芯片項(xiàng)目的進(jìn)度,同時(shí)獲得臺(tái)積公司最新業(yè)界領(lǐng)先制程技術(shù)所帶來的全面性能和功耗優(yōu)勢(shì),。”

新思科技解決方案事業(yè)部營(yíng)銷副總裁John Koeter 表示:“作為接口IP核的領(lǐng)先供應(yīng)商,新思科技持續(xù)在最新工藝技術(shù)開發(fā)高質(zhì)量IP核方面進(jìn)行重大投資,讓設(shè)計(jì)人員能夠獲得性能、功耗和面積優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)芯片差異化。我們與臺(tái)積公司合作利用N5P制程開發(fā)新思科技DesignWare IP核,幫助設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)其積極的設(shè)計(jì)目標(biāo)并加快項(xiàng)目進(jìn)度?!?

上市

基于臺(tái)積公司N5P制程上開發(fā)的DesignWare接口和基礎(chǔ)IP核定于2019年第四季度推出。

新思科技 臺(tái)積 5奈米 N5P

相關(guān)閱讀

暫無數(shù)據(jù)

一周熱門