置富科技高速硬盤橋接控制芯片項目獲突破性進展

2018-09-30 09:17 來源:美通社 作者:Angelina

2018年9月,置富科技聯(lián)合清華大學深圳研究生院和杭州華瀾微電子聯(lián)合開發(fā)的高速硬盤橋接控制器芯片項目正式轉入應用和成果轉化階段。

2252717-1

橋接芯片

此項目研究高速芯片已經達到以下幾個核心技術指標,掌握高速芯片的核心技術:支持 USB3.1 Type C,后向兼容 USB3.0 和 USB2.0 協(xié)議規(guī)范,傳輸速率最高達到 10Gb/s;支持 USB 超高速、高速及全速模式工作。

此芯片最高連續(xù)讀寫速度可達 600MByte/S,突破了傳統(tǒng)接口速度,同時滿足大容量存儲要求,最高存儲容量可達 60TB 以上,支持國產 CPU 平臺龍芯、飛騰下的應用和國產操作系統(tǒng)中標麒麟的應用。研究團隊在 USB 3.1 傳輸協(xié)議的開發(fā)上已經具備成果轉化條件,實現(xiàn)流片成功后即可進入市場實現(xiàn)銷售,完成高速硬盤橋接控制芯片的國產化替代。

此項目的成果轉化,將存儲與芯片核心技術結合,可以提高國產電子產品的技術含量和自主可控的能力,進一步提高國內公司在集成電路產業(yè)和存儲芯片產業(yè)的地位。

置富科技 芯片

相關閱讀

暫無數(shù)據(jù)

一周熱門