科技迅速發(fā)展的今日，3D閃存領(lǐng)域也是日新月異。縱觀該領(lǐng)域的發(fā)展，三星可謂獨占鰲頭，接連推出的兩代立體堆疊閃存分別有24層、32層，并成功應(yīng)用與多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，如850 Pro等。為了打破日本東芝的搶先壟斷地位，三星日前直接推出了可應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存芯片，并實現(xiàn)量產(chǎn)。拋開售價，三星第三代3D閃存從質(zhì)量上看，比東芝產(chǎn)品來說要“良心”。優(yōu)勢表現(xiàn)在MLC顆粒以及量產(chǎn)能力上，其量產(chǎn)效率還提升了40%。
三星量產(chǎn)第三代3D閃存 效率提升40%
3D閃存領(lǐng)域一直是三星產(chǎn)品占盡先機，這次雖然時間上推后，但無論是質(zhì)量還是量產(chǎn)都成為了眾人矚目的焦點。與第二代相比，第三代的優(yōu)勢在于：TB級別，翻倍提升SSD存儲容量。在單芯片存儲量上提高到32GB。與傳統(tǒng)的NAND相比，質(zhì)量有顯著提升。
一個手指尖大小的芯片，就能夠存儲256GB數(shù)據(jù)。這就是三星第三代所達成的效果。根據(jù)第三代生產(chǎn)數(shù)據(jù)所得，新一代V-NAND閃存中，每個單元都采用相同的3D Charge Trap Flash（簡稱CTF）結(jié)構(gòu)設(shè)計，每片芯片存儲單元陣列垂直堆疊48層，利用其特殊的蝕刻技術(shù)，通過18億個通道孔在陣列上實現(xiàn)電子互連。每個芯片共包含853億個單元。單個存儲單元為3bit，一共能存儲2,560億位的數(shù)據(jù)。與32層3bit MLC 128Gb V-NAND閃存相比，當(dāng)存儲相同容量的數(shù)據(jù)時，一個48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存功耗能減少30% 。
