在如今的芯片制造領(lǐng)域中，英特爾算是能夠擠進(jìn)前三排名的公司之一。雖然其他的廠商正在大力的發(fā)展3D FinFET技術(shù)，試圖與因特爾相抗衡，但是卻還沒(méi)有一家能夠做到真正對(duì)英特爾產(chǎn)生威脅。而目前，這一現(xiàn)象似乎要被IBM所打破了。
根據(jù)相關(guān)爆料，IBM很有可能將在2014年的年底將14納米的技術(shù)正式投產(chǎn)到芯片生產(chǎn)過(guò)程中。另外，IBM還會(huì)還會(huì)透露其高密度的存儲(chǔ)器、可擴(kuò)展的功率分配以及600平方厘米的SoC。但是現(xiàn)在不確定的是這些技術(shù)是否將依賴(lài)于三星。
大部分人都清楚，當(dāng)某個(gè)行業(yè)的兩家龍頭企業(yè)產(chǎn)生競(jìng)爭(zhēng)的時(shí)候，受益最大的往往是市場(chǎng)中的消費(fèi)者。目前英特爾正努力開(kāi)發(fā)其最新的FinFET設(shè)計(jì)，而IBM的兩大FinFET技術(shù)選擇可能更容易吸引用戶。
既然是比較相似的產(chǎn)品，兩家公司各自的競(jìng)爭(zhēng)力又在哪里呢?這就要從IBM和英特爾的發(fā)展戰(zhàn)略方向上說(shuō)起了。英特爾還是一貫性的使用傳統(tǒng)塊狀硅來(lái)支持其努力FinFET設(shè)計(jì)，這也可以使其在2-4年內(nèi)在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中保持領(lǐng)先。從2011年開(kāi)始，英特爾已經(jīng)在22nm Ivy Bridge技術(shù)和Haswell微架構(gòu)處理器中使用FinFET制程。最近英特爾還宣布其成功移植FinFET技術(shù)到14nm Broadwell微架構(gòu)，這是最新的Core M處理器系列的核心。
而IBM方面則使用了造價(jià)較為高昂的SOI基板來(lái)研發(fā)相關(guān)芯片。這樣可以簡(jiǎn)化制造過(guò)程，而且可以實(shí)現(xiàn)芯片的低功耗性能。不過(guò)英特爾這面也不示弱，將揭秘其加工“秘方”，包括參雜技術(shù)。
不走尋常路的IBM
基于更為昂貴的SOI板，IBM將創(chuàng)造一種全新的14納米制程方法。并且此款14nm FinFET比22nm的處理速度快25%。與此同時(shí)，IBM也會(huì)展示全球最小、最密集的DRAM單元，僅僅只有0.0174平方厘米大小。IBM還擁有獨(dú)有的制程，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)低功耗和高速運(yùn)行功能。該公司還會(huì)在此次競(jìng)爭(zhēng)中大肆炫耀其15級(jí)銅互連技術(shù)來(lái)促進(jìn)功率分配，這些都會(huì)成為IBM與英特爾之爭(zhēng)的有力因素。
將技術(shù)實(shí)體化至產(chǎn)品上，那么此次PK戰(zhàn)的看點(diǎn)就比較明顯了。英特爾將主打基于14納米技術(shù)的FinFET晶體管，而IBM將祭出造價(jià)更為高昂的SOI板，來(lái)為自家的產(chǎn)品保駕護(hù)航。在戰(zhàn)前的前期宣傳中，兩家公司都在展示著各種各樣的數(shù)據(jù)，但是真正能夠考驗(yàn)一款產(chǎn)品的，恐怕還是上市之后的實(shí)際使用效果和消費(fèi)者的反應(yīng)。
