MRAM是磁阻隨機訪問內(nèi)存的簡稱，其能夠以磁荷作為數(shù)據(jù)的存儲介質(zhì)來進行存儲。這項能夠顛覆現(xiàn)代存儲領域的技術(shù)被TDK公司抬升到了一個全新的高度。TDK公司生產(chǎn)出了MRAM的原型實物，這就意味著這種技術(shù)在未來將有可能替代閃存技術(shù)。
在讀寫速度上，MRAM與SRAM、DRAM不相上下。不僅如此，由MRAM存儲的數(shù)據(jù)將是非易失性的，也就是說MRAM能夠進行斷電保存，可以說MRAM綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個NOR Flash閃存進行了肩并肩對比，讀寫數(shù)據(jù)的速度是后者的7倍多——342MB/s VS. 48MB/s。
需要指出的是，目前對MRAM進行的試驗，使用的是容量較小的芯片，如果當配備容量更大的芯片，MRAM的表現(xiàn)相比將更加優(yōu)異。目前，TDK已經(jīng)試產(chǎn)了一塊8英寸(200毫米)的MRAM晶圓，但它沒有量產(chǎn)能力，商用的時候必須另外尋找代工伙伴。對于外界關(guān)心的何時能正式投入使用的問題。TDK表示，就目前的開發(fā)進度和技術(shù)水平來說，想要將MRAM投入市場至少好需要十年的時間。
至于這項比普通閃存快7倍的技術(shù)何時能實際投入使用，目前還沒有確切時間，但是TDK表示可能需要長達10年。值得注意的是，目前不止TDK，英特爾、東芝、三星、IBM、海力士等知名企業(yè)也都在對MRAM進行不同程度上的開發(fā)和研究。
