隨著越來越多的無線標準和頻帶支持越來越多的應用，意法半導體開始支持市場對高性能和高集成度的需求。意法半導體新推出的STW81200 射頻合成器采用BiCMOS (SiGe) 制造技術，單片集成寬帶壓控振蕩器 (VCOs, voltage-controlled oscillators) 、雙架構分數(shù)整數(shù)鎖相環(huán) (PLL, phase-locked-loop) 內(nèi)核、低噪穩(wěn)壓器，以及符合各種射頻要求的可編程硬件選件。
在基站、射頻鏈接、衛(wèi)星、通信、測試測量等射頻應用中，系統(tǒng)的總體性能與射頻合成器相噪特性密切相關。這些射頻應用需要高集成度和優(yōu)化的成本，同時又不能犧牲射頻性能。在滿足這些要求過程中，作為市場上靈活性最高的射頻合成器，STW81200支持多頻多標準且可軟件定義的50MHz到6GHz射頻輸出，同時提供 -227 dBc/Hz歸一化帶內(nèi)相噪層，當通信載波為4.0GHz、頻率偏移1MHz時，壓控振蕩器相噪為 -135 dBc/Hz，噪聲層為-160 dBc/Hz。
5V、3.6V或3.0V非穩(wěn)壓單電源讓STW81200在市場上獨一無二，優(yōu)調(diào)的功耗和性能使其應用范圍從傳統(tǒng)市電供電基礎設施擴展至依靠電池供電的便攜裝置。
隨著意法半導體的STW8110x產(chǎn)品家族的成功發(fā)展，新款的射頻合成器的性能和靈活性越來越高，可以在同一電路板設計上支持多頻帶和多射頻標準(logistic)。此外，更高的集成度和降低的材料成本有望為客戶節(jié)省更多資源。
STW81200穩(wěn)健的設計符合射頻基礎設施用例的要求。
STW81200現(xiàn)在已進入產(chǎn)能提升階段。
