歐盟未來新興技術(FET)石墨烯旗艦計劃發(fā)布了首份招標公告和科技路線圖，介紹了擬資助的研究課題和支持課題，以及根據(jù)領域劃分的工作任務，每項課題都涉及多項工作任務。
根據(jù)路線圖，石墨烯旗艦計劃將分兩階段進行：初始熱身階段(2013年10月1日至2016年3月31日，共資助5400萬歐元)和穩(wěn)定階段(2016年4月開始，預計每年資助5000萬歐元)。
面向射頻應用的無源組件
該課題旨在開發(fā)與測試天線、 電子互連、熱擴散層、過濾器和微機電系統(tǒng)等無源組件在高頻電子領域的不同應用。該課題還關注包括可用開關控制的屏障、自混合天線與光學透明器件在內(nèi)的新型 微波天線與器件。具體目標包括：設計并實現(xiàn)基于GRM的無源射頻組件;使用最先進的表征技術和評估方法驗證組件性能，以滿足不同應用的具體需求;申請者應 在提案中清楚描述和探討其預想的無源組件優(yōu)于傳統(tǒng)技術之處。
GRM與半導體器件的集成
GRM 與傳統(tǒng)的基于硅、GaAs、GaNg、InP的半導體器件的集成，可以提升混合系統(tǒng)的性能。該課題旨在針對GRM膜的轉(zhuǎn)移與鍵合開發(fā)一種產(chǎn)業(yè)級的可擴展方 法，從而實現(xiàn)GRM在半導體平臺上的后端集成。相關提案須關注GRM的轉(zhuǎn)移與鍵合，以及GRM與半導體器件間界面的設計。結(jié)合了GRM和半導體材料兩者功 能的混合系統(tǒng)應作為工作集成器件發(fā)揮其潛能。
體目標包括：尋求一條可擴展的途徑，以便GRM膜集成到半導體系統(tǒng)時能實現(xiàn)晶片規(guī)模集成;針對 電學、力學、熱學性質(zhì)和其他接觸性質(zhì)，對GRM與半導體器件的相互作用進行設計，以實現(xiàn)不同目標的應用;使用最先進的計量技術評估被集成的GRM層的質(zhì) 量;實現(xiàn)混合系統(tǒng)的實際應用。
高頻電子學
該項任務旨在針對基于石墨烯的高頻電子技術的開 發(fā)制定長期愿景。具體目標包括：優(yōu)化關鍵的加工技術，涉及接觸電阻、柵極堆棧、鈍化、帶隙工程和不同二維材料的整合;確定制造石墨烯基高頻集成電路面臨的 關鍵技術瓶頸，并開發(fā)相應的解決方案;針對石墨烯基高頻器件的制造提出新理念;針對材料、流程和器件定義相應的標準化途徑;將石墨烯視為下一代高性能電子 材料，制定清晰、詳細的開發(fā)路線圖。
柔性電子學
該項任務旨在研究石墨烯在柔性電子器件和系統(tǒng)開發(fā)所需的關鍵技術方面的用途，涉及材料與制造過程、靈活的能源解決方案、柔性射頻電子學和無線連接方案、柔性傳感器、柔性無源電子技術、面向柔性電子學的系統(tǒng)級平臺等領域。
